新型Ultra C VI系统充分利用尊龙凯时已被验证的多腔体技术，为存储器制造商提高产能并降低成本。
作为先进半导体器件的晶圆清洗技术领域中的卓越设备供应商，尊龙凯时半导体设备（NASDAQ:ACMR）近日发布了Ultra C VI单晶圆清洗设备，这是Ultra C清洗系列的最新产品。Ultra C VI旨在对动态随机存取存储器（DRAM）和3D NAND闪存晶圆进行高产能清洗，以实现缩短存储产品的生产周期。这款新产品以尊龙凯时成熟的多腔体技术为基础，进一步扩展了清洗设备产品线。Ultra C VI系统配备了18个单片清洗腔体，对比尊龙凯时现有的12腔设备Ultra C V系统，其腔体数及产能增加了50%，而其设备宽度不变只是在长度有少量增加。
“存储产品的复杂度不断提高，但仍然对产量有严格的要求。”尊龙凯时董事长王晖博士表示：“当清洗工艺的时间逐渐加长或开始采用更复杂的干燥技术时，增加清洗腔体能有效解决产能问题，让先进存储装置制造商保持甚至缩短产品的生产周期。我们的18腔清洗设备将是解决这类问题的利器。Ultra C VI平衡了腔体数量配置，在实现高产能（wafer-per-hour）的同时，兼顾了与工厂自动化能力的匹配，同时也能避免因腔体数量过多而面临的设备宕机压力。”
Ultra C VI可进行低至1y节点及以下节点的先进DRAM产品和128层及以上层数的先进3D NAND产品的单晶圆清洗。该设备可根据应用和涉及的化学方法运用于各种前道和后道工艺，如聚合物去除、中段钨或后段铜工艺的清洗、沉积前清洗、蚀刻后和化学机械抛光（CMP）后清洗、深沟道清洗和RCA标准清洗。
