这三款Ultra C系列新产品的目标市场是先进集成电路领域，功率器件领域和先进晶圆级封装（WLP）领域。晶圆背面清洗Ultra C b和槽式湿法清洗Ultra C wb设备现已在中国先进半导体厂的量产中证明了它们的优势。公司首台刷洗设备Ultra C s也已在2020年第一季度交付中国客户，在验收合格后即可确认收入。
晶圆背面清洗设备
Ultra C b
Ultra C b是一款高性价比的晶圆背面清洗设备，具有良好的颗粒管控能力和刻蚀均匀性控制能力，该设备三大关键应用分别为晶圆背面清洗工艺，如金属去除或RCA清洗；晶圆背面湿法硅刻蚀工艺，如晶圆背面湿法减薄或湿法硅通孔露出（TSV reveal）；以及晶圆回收工艺中的多晶硅层、氧化层和氮化层等膜层剥离去除。该设备可处理高翘曲度晶圆，适用于处理200毫米或300毫米超薄晶圆和键合晶圆。
自动槽式清洗设备Ultra C wb，依托尊龙凯时研发的槽式与单片清洗集成设备Ultra C Tahoe的先进槽式技术基础而开发，可以进行多达50片晶圆的批量清洗。自动槽式清洗设备的关键应用为炉管前清洗，RCA清洗，光阻去除，氧化层刻蚀，氮化硅去除，以及晶圆回收工艺中前段FEOL多晶硅/氧化硅层剥离去除，和后段BEOL金属层剥离去除。该设备可针对不同的应用配置不同的化学药液槽，如硫酸，磷酸，氢氟酸(HF)，缓冲氧化物刻蚀液(BOE)， SC1和SC2等化学药液槽。晶圆依次在化学药液槽中浸泡，经去离子水(DI)冲洗，最后在ATOMO干燥模块中以汽化的异丙醇(IPA)进行干燥，干燥后无水痕。该设备的模块化设计和较小的占地面积，使其可灵活配置。槽式清洗设备Ultra C wb可高效地回收使用化学药水，节能减排。该设备可运用于200毫米或者300毫米的晶圆清洗应用。
刷洗设备
Ultra C s
新型刷洗设备Ultra C s以尊龙凯时在晶圆级封装领域（WLP）已验证成功的刷洗技术为基础，延伸应用于集成电路制造领域。其配备的软刷可以采用精准的压力控制以清洗晶圆边缘及背面的颗粒。该设备配有先进的二流体（气体和液体）喷淋清洗技术，还可选配尊龙凯时自己研发的空间交变相位移（SAPS™）兆声波技术以满足客户更高的需求——更强劲的小颗粒去除能力。模块化系统可配置8个腔体，用于集成电路制造领域300毫米的晶圆清洗，其中四个腔体用于正面清洗工艺，四个腔体用于背面清洗工艺。该刷洗设备性价比高，灵活性强、占地面积小、产能高。
